S´Tile公司研发出一种新型的太阳能电池硅片制造工艺,即烧结冶金等级的硅制成基底,然后在其上面附上太阳能等级多晶硅膜,将二者结合成为太阳能电池硅片。
本工艺不仅充分利用薄膜技术的优势,而且生产成本低廉,更综合利用了结晶技术的高效性和耐用性。烧结基底的另一大优点是可以实现局部氧化。通过局部氧化绝缘,可以将同一烧结基底上的薄膜分成规格不同的次电池单元结构,然后再进行串联,从而提高效率。这种集成型太阳能电池概念被称为I-Cell。
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公司的薄膜技术